Температура MOS (Metal-Oxide-Semiconductor, металл-оксид-полупроводник) — это важный параметр, определяющий работу и надежность MOS-транзисторов, которые являются основными компонентами современных интегральных схем. MOS-транзисторы широко применяются в различных электронных устройствах, включая компьютеры, мобильные телефоны, аудио- и видеоустройства, автомобильные электрические системы и многое другое.
Измерение температуры MOS необходимо для контроля работы транзисторов и предотвращения их перегрева, что может привести к снижению производительности и повреждению устройства. Существует несколько способов измерения температуры MOS, включая использование термометра сопротивления, термоэлементов и полупроводниковых датчиков.
Одним из наиболее часто используемых способов измерения температуры MOS является использование встроенного в устройство температурного датчика. Такой датчик обычно включен в структуру MOS-транзистора и позволяет получать информацию о температуре напрямую из электрического сигнала. Измеренная температура может быть использована для автоматической регулировки работы устройства и предупреждения о возможных проблемах.